王剑钢的个人简介
王剑钢，1977年毕业于吉林大学半导体系，半导体器件专业系，同年进入吉林大学半导体系从事教学工作；1984年考入清华大学电子系攻读硕士学位，1985获得硕士学位；1986年于吉林大学电子科学与工程学院电子工程系担任讲师、教研室副主任；1996年被聘任为吉林大学电子科学与工程学院副教授，电子工程系系主任；2001年被聘任为吉林大学电子科学与工程学院教授，生物医学工程系系主任。
人物名片
姓 名: 王剑钢
毕业院校：吉林大学半导体系、半导体专业系
学位：吉林大学学士学位、清华大学硕士学位
职称: 教授、硕士生导师
职务：生物医学工程系系主任
承担科研项目及获奖状况
在国内核心期刊或国际学术刊物上发表论文共19篇。目前承担项目共4项；其中：国家级1项，部（省）级2项，横向项目1项。获得国家专利6项。
在光器件与应用方向承担的主要工作和参与的科研项目有：
（1）“垂直腔面发射激光器及其收发模块” （教育部重大项目，2003）
（2）“超高速主动锁模光纤激光器真自启动及稳定性研究”（国家自然科学基金项目）。
在非电信号与检测方向承担的主要工作和参与的科研项目有：
（1）“硅基微结构湿度传感器的研究” ；
（2）“电磁波屏蔽与吸收结构型复合材料” ；
（3）“前置无源无线侦听系统” 。
代表性工作
垂直腔面发射激光器及其收发模块 本项目采用离子注入结构制造工艺的VCSEL作为光源。其主要特点是通过选择注入法将离子注入半导体材料中某一深度，控制注入的能量和离子质量，可以制作出确定的绝缘区域，形成高阻区，实现对注入电流的控制，进而实现横向电流控制，另外还具有较好的热耗散，器件制作和封装非常简单等优点。等离子体辅助MOCVD生长的ZnO薄膜退火改性研究 研究等离子体辅助MOCVD法在蓝宝石上生长的ZnO薄膜退火后的特性变化，通过电参数测量和利用X光衍射、光致发光光谱方法对ZnO薄膜进行了表征。测试了其退火和未退火薄膜的电阻率、电子浓度、迁移率、激光阈值，并通过X光衍射、光致发光方法表征了ZnO薄膜的质量，其结果是：退火薄膜的电子浓度低达1015/cm3量级、激光阈值降低近30倍、X光衍射峰半高宽是0.29°、在388nm附近的光致发光谱峰半高宽为0.32nm。这表明退火使ZnO薄膜的质量得到大幅度提高。电磁波屏蔽与吸收结构型复合材料根据军用指挥计算机机壳的多样性，小批量要求，在“八五”研制的基础上，采用一种全新的工艺路线，以达到低成本、高成品率的要求。
技术关键：
(1)以直流间歇式磁控溅射仪溅射出铜-镍，不锈钢-铜-不锈钢、铝等膜层，在14KHz-1GHz范围内实现屏蔽60db以上的屏蔽要求；在1GHz-1.5GHz范围内实现50db以上的屏蔽要求。
(2)金属膜层与基体塑料以及金属膜层间的结合牢固。
主要内容：
(1)建立一套溅射金属膜层的溅射设备(2)研究膜层均匀性、厚度、粒度及反射性能等对电磁屏蔽性能的影响。
(3)研究掩蔽方法，预处理工艺及磁控溅射参数等对电磁屏蔽性能的影响。
(4)研究膜层的环境适应性及导电性能等。
