王金淑的个人简介
女，工学博士，教授，博士生导师。1990年本科毕业于北京科技大学物理化学系；1993年获该校无机非金属材料专业硕士学位；1999年3月于北京工业大学获材料学博士学位；2002年10月至2004年9月在日本东北大学进行博士后研究工作。2002年破格晋升教授。日本化学会、日本陶瓷学会会员。1999年入选北京市科技新星计划，2001年获第八届霍英东青年教师基金奖。获得国家发明成果二等奖一项，省部级一等奖两项，国家发明专利八项，在国内外学术期刊上发表论文60余篇，其中被SCI/EI收录的论文近40篇。
人物简介
王金淑同志2002年至2004年在日本东北大学进行博士后研究工作。1999年入选北京市科技新星计划，2001年获第八届霍英东青年教师基金奖，2005年入选教育部新世纪优秀人才计划，2006年获国家知识产权局、全国妇联、中国发明协会联合授予的第三届新世纪巾帼发明家称号。获国家发明成果二等奖一项，省部级一等奖两项，国家发明专利十项，在国内外学术期刊上发表论文近80篇，其中被SCI/EI收录的论文近60篇。
人物荣誉
1999年入选北京市科技新星计划，2002年获第八届霍英东青年教师基金奖。2003年及2004年分别获教育部技术发明一等奖及国家技术发明二等奖各一项；2005年入选教育部新世纪优秀人才支持计划；2006年获中国第三届新世纪巾帼发明家称号；2007年获国防科工委技术发明二等奖，并获首都女职工创新之星称号。2008年获茅以升科学技术奖-北京青年科技奖，入选新世纪百千万人才工程北京市级人选，并获国务院政府特殊津贴。2009年获国家教育教学成果二等奖，北京市教育教学成果特等奖，全军科学技术进步三等奖，入选北京市学术型创新人才计划。《材料工程基础综合实验》国家级精品课程负责人。中国电子学会真空电子学分会委员会委员，中国腐蚀与防护学会能源工程专业委员会委员，中国电子学会生产技术分会委员会委员，《粉末冶金技术》编委，《真空电子技术》编委。国际J.Appl.Phys.,J.Phys.Chem.等刊物的审稿专家。美国IEEE协会、化学会、日本化学会、日本陶瓷学会会员。获得国家发明专利16项，美国专利2项。在国内外学术期刊上发表论文百余篇，其中被SCI/EI收录的论文90余篇,出版专着一部。
目前研究方向主要包括电子发射材料、纳米半导体材料以及应用电化学等。近年来，与包括斯坦福大学、加州大学戴维斯分校、日本东北大学以及韩国首尔大学等在内的国外著名大学保持着密切合作关系。
研究成果
稀土难熔金属电子发射材料是王金淑的重要研究方向。在大功率电子管用阴极材料方面，替代有放射污染的Th-W材料是数十年来人们的一个梦想。新型环保阴极材料――镧钼阴极材料多年来由于其发射稳定性的难题让世界无数科学家为之折腰。90年代初期，周美玲教授领导的科研团队向停滞多年的课题发起了冲击。但是直到90年代中期，虽然经过多种方法处理，其发射稳定性仍然没有得到改善。1996年成为周美玲教授博士生的王金淑参加了这项研究。王金淑认为，镧钼阴极材料的性能与它的很多物理化学问题紧密相关，应该着重从它的发射机理等基础研究入手。经过一系列基础研究，为阴极处理的关键工艺的制定提供了理论指导，显着改善了镧钼阴极的发射稳定性，首次成功制成了实用型镧钼阴极的FU-6051电子管，寿命从原来的十几小时提高到3000小时（技术标准为1000小时），达到了国际最高水平，这个困扰阴极材料工作者多年的世界性难题被解决了。以徐光宪院士和李英东院士为首的专家组鉴定认为：“该项研究在机理上为国内外首创，在工艺研究上取得突破，成果处于国际领先水平”。由于研究成果突出，王金淑提前半年毕业并通过了博士学位论文答辩，学位论文《稀土钼阴极发射机理、稀土元素行为及作用机制研究》被评为校优秀论文，并获全国百篇优秀博士论文提名奖。
在镧钼热阴极材料研究的基础上，王金淑首次在中国国内外开展了磁控管用稀土钼次级发射材料的研究。实验结果表明，稀土钼次级发射阴极是一种耐高温回轰、长寿命、制备工艺简单的新型磁控管阴极材料，有望在医疗领域的癌症放射治疗仪中应用，改变其关键部件从国外进口的现状。某型号的稀土阴极磁控管已成功应用于雷达上，稀土阴极磁控管已批量生产。以才洪年院士为首的专家组对该项目进行了技术鉴定，鉴定结论为：“新型阴极材料属于国内外首创，其综合性能达到国际领先水平。”作为第一发明专利人，王金淑目前已申请相关国家发明专利4项，3项获批，1项进入专利公开阶段。
除稀土钼阴极外，王金淑正在将研究进一步拓展，以应用到其它领域。她们采用液液掺杂及液固掺杂法制备了钪钨基粉末，并与北京真空电子源研究所合作制成了扩散型阴极，该种阴极具有制备工艺简单，重复性好的特点，其发射性能达到国际最好水平。已申报相关国家发明专利4项（其中第一专利发明人3项，第二专利发明人1项），其中获批1项，3项处于专利公开阶段。在2005年出版的第五届国际真空电子源会议论文集的前言中，有着以下评述：“中国在世界真空电子研究与发展领域占据着重要的位置，并将在未来位于领先地位。主要体现在中国采用亚微米技术在钪系阴极或镧钼阴极方面取得了巨大进展”。这些由国内外专家撰写的综述，正是对这个研发团队所取得的科研成果的首肯。钪钨基扩散阴极的研究成果已引起了国外真空电子领域科研工作者的高度重视，美国斯坦福大学线性加速器中心研发主任Glenn博士来函索要钪钨扩散阴极，并在斯坦福大学进行了测试，以下为他的测试结果和评价：“在斯坦福线性加速器中心，我对北京工业大学－北京真空电子源研究所提供的C1阴极进行了加速寿命实验…，对于你们阴极的测试结果我感到非常兴奋，该阴极在支取100A/cm2的发射电流密度条件下工作500小时以上没有任何问题。…，这是一个极为优异的结果。”基于上述优异的测试结果，美国已经将北京工业大学列入美国的Muri计划，该计划意加强大学、研究单位及企业间的交流与合作，美国斯坦福大学、加利福尼亚大学戴维斯分校已来人与课题组进行交流，双方拟进行合作研究以将其应用在更尖端领域。
